keraaminen kuparipinnoitettu piirilevy

keraaminen kuparipinnoitettu piirilevy korkean suorituskyvyn elektroniikkaan

Keraaminen kuparipinnoitettu piirilevy on korkean suorituskyvyn piirilevy, jossa käytetään keraamista materiaalia alustana ja jonka pinta on pinnoitettu korkeapuhtaalla kuparifoliolla. Yleisiä alustoja ovat alumiinioksidi (Al₂O₃), alumiinitridi (AlN) ja piinitridi (Si₃N₄), jotka kaikki tarjoavat erinomaisen lämmönjohtavuuden, eristyksen ja mekaanisen lujuuden.

Kuvaus

Keraamiset kuparipäällysteiset piirilevyt

Keraamiset kuparipinnoitetut piirilevyt ovat erinomainen valinta nykyaikaisille korkealaatuisille elektroniikkatuotteille, sillä ne tarjoavat tehokkaan lämmönpoiston ja korkean luotettavuuden erinomaisen suorituskykynsä ansiosta.

Tuotteen edut

  • Erinomainen lämmönjohtavuus:Keraamisten substraattien lämmönjohtavuus on paljon parempi kuin perinteisten FR-4-materiaalien, mikä alentaa tehokkaasti elektronisten komponenttien käyttölämpötilaa ja pidentää tuotteen käyttöikää.
  • Korkea luotettavuus:Keraamiset materiaalit kestävät erinomaisesti korkeita lämpötiloja, korroosiota ja hapettumista, minkä ansiosta ne sopivat vaativiin käyttöympäristöihin.
  • Erinomainen eristys:Keraamisilla substraateilla on erittäin korkea eristysvastus, mikä takaa piirien turvallisen ja vakaan toiminnan.
  • Kompakti rakenne:Mahdollistaa tiheän johdotuksen ja pienikokoiset rakenteet, jotka täyttävät kevyiden ja kompaktien nykyaikaisten elektroniikkalaitteiden vaatimukset.
  • Ympäristöystävällisyys:Keraamiset materiaalit eivät sisällä haitallisia aineita ja täyttävät ympäristöstandardit.

Sovellukset

Keraamisia kuparipäällysteisiä piirilevyjä käytetään laajalti tehoelektroniikassa, LED-valaistuksessa, autoelektroniikassa, RF-mikroaaltotekniikassa, viestintälaitteissa, aurinkoenergiassa, lääketieteellisissä laitteissa ja muilla aloilla, joilla vaaditaan erinomaista lämmön haihtumista ja luotettavuutta. Ne sopivat erityisen hyvin suuritehoisiin moduuleihin, teho-puolijohteisiin, lasereihin, RF-tehovahvistimiin ja muihin korkeataajuisiin, korkeajännitteisiin sovelluksiin.

Tuotetiedot

  • Korkea lämmönjohtavuus (tyypillisesti 170–230 W/m·K).
  • Laaja käyttölämpötila-alue (-55 °C – 850 °C).
  • Alhainen dielektrisyysvakio, mikä minimoi signaalin siirron häviöt.
  • Mukautettavissa eri kokoihin, paksuuksiin ja kuparikerroksen paksuuksiin.